Контакты
Телефон
+7 (495) 308-90-60
Почта
Адрес
г. Москва,2-й Кожуховский пр-д, д. 29, к. 2, стр. 16

Топологические материалы для измерительной электроники


Прогноз, в котором хотелось бы ошибиться... Третье десятилетие 21-го века в мире электроники предполагается быть непростым для теоретиков, экспериментаторов и промышленности. Переход от технологии дискретных элементов типа диод/резистор/транзистор к микросхемам занял в 20-м веке не одно десятилетие. Пришлось освоить новые технологии массового производства микросхем, в частности фотолитографию и др. Вопрос стерильности производственных помещений оказался ключевым и не позволил многим нашим предприятиям перешагнуть границы плотности транзисторов на квадратный миллиметр, которые позволили бы массово производить процессоры уровня выше 286 серии. При переходе на нано-технологии проблем скорее всего будет никак не меньше.

И несмотря на то, что многие теоретические разработки в РФ опережают общемировые, а разработчики графена, лауреаты Нобелевской премии по физике вообще родом из России, в технологической битве за лидерство в нано-технологиях шансов у России не много. (К стати, неоднократно цитируемый на этой странице доктор Хасан родом из Бангладеж, но что это дало его родине в плане продвижения в технологической гонке?) Поэтому разработчикам нового оборудования, включая двигатели внутреннего сгорания, электродвигатели, свои стенды испытания двигателей придется еще какое то время комплектовать импортными комплектующими. А это датчики крутящего момента Magtrol, устройства дистанционного (телеметрического) измерения и контроля KMT, системы сбора данных с датчиков imc. При этом по опыту 20-го века на следующий технологический (нано) уровень эти фирмы выйдут раньше других, в том числе отечественных.